一种多芯片并联功率模块封装方法

本发明公开了一种多芯片并联功率模块封装方法，涉及电力电子技术领域，包括，将训练好的模型部署到监控单元，实时分析芯片状态，预测非正常操作，并生成芯片状态监测数据；基于芯片状态监测数据，结合封装工艺参数，利用支持向量机SVM模型分析性能数据和封装工艺关键参数，识别影响封装质量和一致性的关键因素，并提出优化建议；根据优化建议调整封装设备参数，对比调整前后的数据，验证优化建议，将验证后的数据反馈至监控单元，更新支持向量机SVM模型，动态调整封装工艺参数。确定关键因素后，依据优化建议调整封装参数，并用X射线和热成像验证效果，这实现了基于反馈的精细化管理，提升了一致性和质量，加快了技术迭代，增强了竞争力。