一种内置MOS的高性能副边同步整流控制器

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一种内置MOS的高性能副边同步整流控制器
申请号:CN202510659837
申请日期:2025-05-21
公开号:CN120601753A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种内置MOS的高性能副边同步整流控制器,包括控制芯片,所述控制芯片包括输入模块、控制逻辑模块、输出模块、保护电路模块、驱动电路模块、通信接口模块、自供电电路模块;用导通电阻极低的功率MOSFET替代传统整流二极管,大幅降低整流过程中的导通损耗,在高频率、大电流的电源转换应用中,可使电源效率显著提升,能有效减少能源浪费,降低设备运行成本;同时通过精确的控制算法,同步整流控制器能有效减少输出电压的纹波,提高输出电压的稳定性和精度,为负载提供更稳定、纯净的电源,有利于提高负载设备的性能和寿命。
技术关键词
副边同步整流 保护电路模块 供电电路模块 通信接口模块 数字通信接口 逻辑模块 高性能 欠压保护电路 控制芯片 逻辑控制单元 同步整流控制器 死区时间控制 输出模块 输入模块 电压检测单元 电流检测单元 栅极驱动电路 关键执行元件
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