一种基于SiC基底的智能温控加热平台及芯片加工方法

本发明涉及芯片加工技术领域，公开了一种基于SiC基底的智能温控加热平台及芯片加工方法。所述方法包括：对SiC基底温度分布特性进行建模，得到三维温度场分布模型；执行温度参数分析，得到SiC基底表面温度分布参数集；进行热区分析，得到加热单元贡献度系数矩阵和目标热区分布图；计算功率分配值，得到加热功率设定矩阵；对加热功率设定矩阵执行四阶段分级控制，得到平稳过渡控制曲线；实施递进式温控策略，得到满足SiC基底芯片加工精度要求的全局温度控制参数，本发明实现了从室温到工艺温度的平稳过渡，无需额外预热设备，为SiC基底提供稳定的加工温度环境，降低了能源消耗，实现SiC基底芯片加工过程的能源高效利用。