芯片老化测试装置及芯片老化测试方法

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推荐专利
芯片老化测试装置及芯片老化测试方法
申请号:CN202510661721
申请日期:2025-05-21
公开号:CN120178009B
公开日期:2025-08-22
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种芯片老化测试装置及芯片老化测试方法,涉及半导体测试技术领域。该装置包括:多个测试腔体和多个缓冲腔体;每一测试腔体配备有第一温控组件,用以独立调控对应的测试腔体内的温度,使测试腔体具备恒定的测试温度,测试腔体用于对芯片组进行老化测试;缓冲腔体和测试腔体交替设置且形成有闭合空腔结构,闭合空腔结构用于收容至少一个测试核心组件,测试核心组件被配置为在闭合空腔结构内能够进行旋转运动,测试核心组件为芯片组内的各芯片提供测试信号;各缓冲腔体均包括至少两个隔断件,隔断件用于阻隔缓冲腔体与相邻测试腔体之间的气流交换;多个隔断件被配置为交替开合,以使芯片组能够进出缓冲腔体。可提高芯片老化测试效率。
技术关键词
芯片老化测试装置 腔体 老化测试方法 温控组件 核心 缓冲腔 测试腔 半导体测试技术 空腔 风幕 气流 温差 运动 信号
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