多材质异构集成射频微模组及高功率多通道TR组件

本发明提供一种多材质异构集成射频微模组及高功率多通道TR组件，涉及半导体技术领域。该多材质异构集成射频微模组，包括：SiC介质基板、混合三维堆叠结构及芯片；混合三维堆叠结构由至少两层半导体介质基板堆叠形成；混合三维堆叠结构的下表面与SiC介质基板的上表面固定连接；SiC介质基板与混合三维堆叠结构之间，及各层半导体介质基板之间均通过垂直通孔实现电气连接；其中，SiC介质基板中的通孔及腔体采用激光实现；芯片设置在SiC介质基板及半导体介质基板的腔体中。本发明采用高导热SiC介质基板作为底层介质基板与半导体介质基板混合堆叠形成多材质晶圆级异构集成射频微模组，散热能力强，提高了射频微模组的稳定性。