能够抑制面内放大自发辐射的激光芯片

本发明提供了一种能够抑制面内放大自发辐射的激光芯片，本方法通过设计第一倾斜边和第二倾斜边，破坏了与第一解理边和第二解理边各自平行的对边，消除了自然解理激光芯片中存在的第一寄生腔和第二寄生腔，从而显著抑制激光芯片的面内放大自发辐射的形成，阻止了激光芯片中激光发射层中载流子无谓的消耗，可以提高激光芯片在激光波长上的发光效率，提升激光器从泵浦光到发射激光的光‑光转换效率，并最终提升激光器的输出功率。其次，由于对激光芯片面内放大自发辐射的抑制，以及对激光器光‑光转换效率的提升，可以在输出功率一定的情况下，明显降低激光器的功耗，一定程度上降低激光器的运行成本，提升激光器的性价比。