一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统

本发明属于微电子器件技术领域，公开一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统，该方法首先获取待测MOS器件的实际阈值电压，并根据待测MOS器件栅极的类型对待测MOS器件的栅极功函数进行预先设定；然后将所述预设功函数输入预设的仿真模型中进行拟合，获取拟合的阈值电压，当实际的阈值电压与拟合的阈值电压误差小于预设的误差值时，所述预设功函数为待测MOS器件的栅极电性功函数。综上所述，该方法通过仿真的方法，将待测MOS器件的实际阈值电压与拟合阈值电压进行比较，有效提升了获取的MOSFET栅极功函数的准确度、重复性和可靠性。