一种扇出型圆片级芯片封装方法

本发明涉及集成电路半导体的设计及制造领域，具体提供了一种扇出型圆片级芯片封装方法，所述方法包括如下工艺过程：晶圆涂层、植球、PI涂层、晶圆切割、晶粒装片、一次塑封、一次研磨、一次转孔、激光钻孔、一次RDL镀铜、二次塑封、载板剥离、二次转孔、二次激光钻孔、二次RDL镀铜、焊盘镀铜、三次塑封、二次研磨、激光打印、预切割、镀锡、芯片切割、测试编带、包装；本发明采用Fanout工艺替代传统陶瓷封装工艺，通过将I/O点“扇出”到芯片边界之外，还能够在有限的空间内布置更多的I/O点；并且由于I/O点被重新布局到更大的载体上，整体封装尺寸可以减小；RDL的设计和布局可以优化信号传输，提高电性能。