一种基于短路测试的SiC MOSFET高压I-V特性测试方法

本发明提出一种基于短路测试的SiC MOSFET高压I‑V特性测试方法，包括：设计短路测试板；搭建短路测试系统；常温下进行短路测试；采集短路期间的漏‑源电压、栅‑源电压和漏极电流的波形；整理高压I‑V特性数据。漏极电流的采集采用栅极电压分域法，即在低栅‑源电压下，短路电流随着栅‑源电压的增加而增加，选取栅‑源电压达到设定值时短路电流为漏极电流；在高栅‑源电压下，短路电流随栅‑源电压的增加呈现先上升后下降的非单调特性，选取短路电流的峰值为漏极电流。本发明解决了参数分析仪无法测量高电压、大电流特性参数的问题，为精确构建SiC MOSFET的SPICE模型提供了全面的数据支持。