一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器

本公开实施例提供了一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器，存储芯片包括衬底和n个导电通孔组，每一导电通孔组均包括第一导电通孔～第四导电通孔、第一重分布接触结构～第四重分布接触结构；第一重分布接触结构与第一导电通孔沿第三方向的投影至少部分重叠，第一重分布接触结构和第四导电通孔电连接；第二重分布接触结构与第二导电通孔沿第三方向的投影至少部分重叠，且两者电连接；第三重分布接触结构与第三导电通孔沿第三方向的投影至少部分重叠，且两者电连接；第四重分布接触结构与第四导电通孔沿第三方向的投影至少部分重叠，第一导电通孔和第四重分布接触结构电连接。