智能手机集成电路散热基板梯度孔隙结构制备方法

本发明涉及智能手机制技术领域，公开了智能手机集成电路散热基板梯度孔隙结构制备方法，该方法步骤包括：获取基底材料热导率、芯片热源分布模式、允许孔隙率阈值等数据；将数据输入基于物理场仿真算法的结构生成模型，输出孔隙直径变化梯度、贯通通道连接密度等梯度孔隙分布参数；按参数设置化学蚀刻装置工艺参数制备。其中，允许孔隙率阈值通过应力分析模型结合基板机械强度检测确定，模型采用多尺度网格划分及三维热传导网络分层架构，结合蚀刻液浓度、基板粗糙度等参数计算孔隙修正系数动态调节参数，并设工艺中断补偿步骤。方法实现梯度孔隙结构精准设计，平衡散热与强度，提升工艺稳定性。