一种半导体及其制造方法

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种半导体及其制造方法，制造方法包括以下步骤：准备超薄晶圆A和衬底晶圆，超薄晶圆A具有形成有芯片的正面和对应于正面的背面；将超薄晶圆A与衬底晶圆通过有机键合胶键合，得到键合晶圆，随后贴在UV膜上，依次进行激光切割、水洗、扩膜、化学溶剂清洗、挑片，得到晶片；采用固晶胶将其贴合在基板上并在特定温度下固化；依次去除衬底晶圆和有机键合胶。本发明有效解决了超薄晶圆切割前贴膜困难、UV膜沾污晶圆背面、切割后清洗易损伤及挑片困难等问题，显著提升了基于超薄晶圆制造半导体的可靠性与稳定性。