具有复合保护层的半导体芯片及其制备方法

本公开公开了一种具有复合保护层的半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片，包括依次叠设的一次外延层、复合保护层和二次外延层；复合保护层包括AlON层、SiN层和TiN层，AlON层、SiN层和TiN层沿外延生长方向依次叠设；二次外延层为AlGaN层。本公开实施例能够有效的避免二次沉积外延层时的高温，导致Al原子向外扩散。