用于NAND的高码率QC-LDPC校验矩阵构造方法、设备、介质及产品

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正文
推荐专利
用于NAND的高码率QC-LDPC校验矩阵构造方法、设备、介质及产品
申请号:CN202510704317
申请日期:2025-05-29
公开号:CN120238140B
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种用于NAND的高码率QC‑LDPC校验矩阵构造方法、设备、介质及产品,涉及信道编码技术领域,其中方法包括:首先生成行重均匀分布且无四环结构的初始校验矩阵;其次,对初始校验矩阵的每个非零项遍历预设移位值范围,选择使六环数量最少的移位值生成中间校验矩阵;最后,基于中间校验矩阵中每个非零项参与的六环数量,依次消除参与六环数量最多的非零项,得到目标校验矩阵。该方法通过递进优化四环、六环及全局均衡性,显著提升校验矩阵的纠错性能并降低译码时延,适配高码率NAND闪存的可靠性需求。
技术关键词
LDPC校验矩阵 码率 混合结构 深度优先搜索算法 信道编码技术 NAND闪存 队列 可靠性需求 噪声条件 可读存储介质 存储计算机程序 节点 计算机程序产品 六边形 中子 处理器 标志位
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