堆叠型存储芯片及芯片内部上电方法

本发明涉及一种堆叠型存储芯片及一种芯片内部上电方法。所述堆叠型存储芯片包括垂向堆叠键合的至少两个存储裸芯，每个存储裸芯包括一一对应的多个存储单元和多个供电单元，每个存储单元具有独立的内部电源信号，每个供电单元用于获得相应存储裸芯的上电信号并向对应的存储单元独立供电，以建立所述内部电源信号的电压，各存储裸芯通过TSV键合通路接收外灌的外部电源信号之后建立对应的上电信号。相较于采用同一套供电系统对同一存储裸芯内的所有存储单元进行同时供电，各存储单元对应的供电单元互不影响，有助于降低功耗和噪声，提高供电可靠性。所述芯片内部上电方法用于对上述堆叠型存储芯片的各存储裸芯上电，可实现各存储裸芯分时上电，有助于确保各存储裸芯的供电可靠性。