一种高压平面整流芯片及其制备方法

一种高压平面整流芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括:提供外延片，并采用光刻工艺在外延片的第一表面形成主结窗口和场限环窗口；向主结窗口和场限环窗口掺杂注入铝和硼，并进行扩散推结，使主结窗口和场限环窗口内均形成具有第一结深的P‑区域和第二结深的P+区域。上述高压平面整流芯片的制备方法够增大高压平面整流芯片的芯片有源区面积，并降低芯片内部串联电阻，提高高压平面整流芯片的通流能力。