大面积胶层厚度快速检验方法

本发明公开的大面积胶层厚度快速检验方法，将芯片晶圆切分成独立的芯粒，均匀抽样并测量抽样所得芯粒的电性，剔除电性异常的芯粒，使用顶针对电性正常芯粒进行刺探作业，测量刺探后芯粒的电性，基于电性未受损或产生漏电的芯粒数量计算漏电率，从刺探后的芯粒中随机抽取部分并测量键合胶层的厚度，建立漏电率与胶层厚度的等效关系对照表，对待检验芯片晶圆计算漏电率，再依照对照表查找等效胶层厚度。本发明通过损伤刺探方式处理器件后再通过测量器件电性来等效表示胶层厚度，可以快速的评估整片晶圆的胶厚水平，对产品的形貌和透光性没有要求，同时识别精度可以达到亚微米水平。