一种存储器读写一致性测试方法及系统

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一种存储器读写一致性测试方法及系统
申请号:CN202510716460
申请日期:2025-05-30
公开号:CN120236640B
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种存储器读写一致性测试方法及系统,涉及存储器测试技术领域。包括有:S1:进行串扰耦合建模:根据所述量子隧穿电流曲线和三维寄生参数矩阵,构建层间串扰耦合传递函数;S2:构建三维失效概率模型:获取平面耦合错误分布图,并根据所述层间串扰耦合传递函数,生成层间串扰系数矩阵;S3:标识电磁耦合热点区域:根据所述三维失效概率,确定出每个区域的风险等级,并根据所述风险等级,设置测试参数,并通过所述测试参数,对待测存储器进行读写测试。本发明实现了跨层干扰的三维量化建模,使得检测范围从平面扩展至立体结构,解决了传统方法对层间电磁耦合的盲区。
技术关键词
一致性测试方法 层间串扰 隧穿电流 SPICE模型 矩阵 参数 坐标 存储阵列 版图 风险 热点 分布直方图 电场 存储器测试技术 双线性插值 晶体管 曲线 存储单元 金属线
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