一种基于金刚石基多栅极Ga2O3 HEMT的嵌入式微通道近结冷却研究方法

本发明公开了一种基于金刚石基多栅极Ga2O3HEMT的嵌入式微通道近结冷却研究方法，属于半导体器件热管理的有限元分析方法技术领域，解决Ga2O3器件的废热问题。包括步骤：在Solidworks建模软件建立多栅极Ga2O3HEMT的嵌入式微通道的三维模型，导入COMSOL软件；根据COMSOL固体和流体传热多物理场耦合接口研究Ga2O3HEMT的嵌入式微通道近结冷却散热；通过更改microchannel域和manifold域的材料和结构分别得到Ga2O3HEMT嵌入式微通道结构工作时对结构结温的影响情况，为Ga2O3HEMT提供了选型指导；通过“参数扫描”得到热源功率变化对结温的影响，以及一系列单元质量流率状态下结温和雷诺数的变化状况，为在近结区域冷却的设计提供了理论数据。