一种量子芯片底层电路制备方法及量子芯片

本发明公开一种芯片底层电路制备方法及量子芯片，方法为在洁净衬底上依次生长超导金属层、硬质材料层，在硬质材料层涂光刻胶光刻获得底层电路图形，刻蚀硬质材料层转移图形并去胶，用化学机械抛光研磨超导金属层转移图形，去除硬质材料层清洗得超导底层电路。量子芯片包括衬底层、超导金属层及底层电路图形。该方法通过硬质材料层结合CMP工艺实现超导金属层图形化，避免传统干法刻蚀损伤衬底、增加缺陷及湿法刻蚀钻蚀和侧壁陡直度差的问题，减少二能级缺陷，降低成本与工艺复杂性。