一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法

本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法，包括衬底、N面电极、N型DBR层、N型限制层、有源区、P型限制层，P型DBR层、限制层、介质填充层、表面钝化层、P面电极、P型金属接触和ALD层，所述限制层上开设有限制孔，所述限制层的材料包括Bi₂Se₃，限制孔为旋转非对称结构。激光器的带宽和相对强度噪声RIN大幅度提升，使得通过此申请方案制备所得的激光器可以满足单通道100Gbps链路所需的高带宽和低噪声要求；创新使用Bi₂Se₃来制造VCSEL激光器的限制层，简化了VCSEL产品的制备工艺，提升产品带宽和工艺均匀性；创新使用旋转不对称形貌制造VCSEL激光器的限制层，优化产品的相对强度噪声性能。