集成器件的制作方法

本发明提供了一种集成器件的制作方法中，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过提供一第一基底，采用高k金属栅极工艺制作低压器件区，提供一第二基底，采用多晶硅氮氧化合物工艺制作中压器件区和高压器件区，然后对所述第一基底和所述第二基底执行键合，跟现有的在同一芯片上制作采用高k金属栅工艺制作低、中、高压器件的方法相比，在工艺方面，首先，明显改善了高压器件金属栅在化学机械研磨时的整体凹陷问题，其次，避免了高压器件介质层厚度增厚带来的接触孔刻蚀填充工艺窗口狭窄的问题，再者，低压器件的台阶高度得到了改善；另外，中、高压器件的器件可靠性得到了改善，在成本方面，降低了单颗芯片的制造成本，具备成本优势。