一种半导体结构的制备方法

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一种半导体结构的制备方法
申请号:CN202510726021
申请日期:2025-05-30
公开号:CN120581445A
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体结构的制备方法,半导体结构的制备方法包括:在第一衬底上形成半导体功能层;半导体功能层包括若干功能器件;在第二衬底上形成芯片连线层;芯片连线层包括层叠的多个子连线层;每个子连线层中包括金属层和包围金属层的绝缘层;相邻子连线层中的金属层相互连接,位置至少部分重叠;将半导体功能层背向第一衬底的一侧与芯片连线层背向第二衬底的一侧键合连接在一起,形成芯片结构。与相关技术相比,本发明可以提高芯片制造效率,缩短交期,同时可以提高芯片结构的性能和良率。
技术关键词
连线层 芯片结构 半导体结构 衬底 重布线层 功能模块 层叠 芯片封装结构
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