芯片回归测试方法、电子设备和介质

AITNT
正文
推荐专利
芯片回归测试方法、电子设备和介质
申请号:CN202510726842
申请日期:2025-06-03
公开号:CN120561016A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片技术领域,尤其涉及一种芯片回归测试方法、电子设备和介质,方法包括步骤S1、获取待测芯片设计代码和目标测试用例重构信息;步骤S2、基于目标测试用例重构信息生成芯片回归测试所需测试用例;步骤S3、将待测芯片设计代码进行编译,生成待测芯片设计可执行文件;步骤S4、基于待测芯片设计可执行文件并行运行芯片回归测试所需测试用例,生成测试用例运行记录;步骤S5、基于测试用例运行记录生成芯片回归测试数据库,基于芯片回归测试数据库显示芯片回归测试结果。本发明提高了芯片回归测试效率和准确性。
技术关键词
待测芯片 回归测试方法 生成测试用例 计算机可执行指令 重构 存储器 电子设备 处理器通信 可读存储介质 数据 标识 参数
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号