一种实现高精度短路仿真的SiC MOSFET SPICE行为模型的建模方法

本发明公开一种实现高精度短路仿真的SiC MOSFET SPICE行为模型的建模方法，包括：步骤一、基于半导体参数分析仪和变温短路测试系统，分别获取器件在环境温度为25℃、50℃、75℃、100℃的低漏‑源电压VDS区域、高漏‑源电压VDS区域的输出特性数据；步骤二、基于测试得到的I‑V数据，采用人工神经网络行为建模方法对器件进行建模；步骤三、通过拟合热阻抗曲线提取热电阻Ri和热电容Ci，建立热网络模型；步骤四、仿真验证，将建立的SiC MOSFET的SPICE模型在LTspice软件中进行短路仿真，得到短路仿真电流。本发明基于人工神经网络对器件I‑V特性进行建模，并建立瞬态热网络模型来仿真结温动态变化，能准确反映SiC MOSFET在短路工况下的电流退化特性。