一种VCSEL芯片金属蚀刻方法

本发明公开了一种VCSEL芯片金属蚀刻方法，涉及蚀刻技术领域，本发明为了避免干法蚀刻后的粗糙度问题，对VCSEL芯片金属蚀刻方法进行了改进，本发明首先对VCSEL芯片外延片使用正性光刻胶作为掩膜，对其表面曝光后，干法蚀刻对外延片表面进行初步蚀刻，在干法蚀刻时，本发明使用了BCl2与Cl2作为蚀刻气体，并加入氮气从而诱导生成钝化层，防止生成横向蚀刻，并在这一基础上使用了蚀刻液对VCSEL芯片外延片进行蚀刻平整，利用高锰酸钾对蚀刻不平整区域进行氧化后，便于磷酸的蚀刻，并且为了避免出现氧化性过强出现氧化斑的缺陷，本发明还对高锰酸钾含量进行了严格限制，实现对经干法蚀刻后VCSEL芯片外延片的平整处理，有效提升了VCSEL芯片蚀刻质量。