一种星用MOSFET浪涌抑制电路参数设计方法

本申请提供了一种星用MOSFET浪涌抑制电路参数设计方法，包括：在MOSEFT器件的栅极和源极之间增加电容C1，在MOSEFT器件的栅极输入端增加限流电阻R5；根据基尔霍夫定理和电容的电压与电流关系公式得到电容C1两端电压表达式，建立栅极电压到MOSEFT导通的时间数学模型；根据浪涌电流的最大值、载荷母线电压和滤波电容估计浪涌电流的持续时间；计算星用MOSFET栅极驱动电路的分压电阻参数；计算电容C1参数。本申请的优势在于：该方法使MOSEFT浪涌抑制电路设计简单有效，并且很好的实现了浪涌电流抑制效果。