一种提高抗水解性能的LED外延结构及其制备方法

本发明涉及发光二极管的技术领域，公开了一种提高抗水解性能的LED外延结构及其制备方法，包括衬底，所述衬底上依次设置有缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；其中，所述N型半导体层包括依次层叠的第一N型掺杂GaN层、石墨烯层和第二N型掺杂GaN层。实施本发明，对外延结构进行优化，可以提高载流子在N型半导体层上的横向分布，显著减弱电子聚集效应，通过降低N型层缺陷密度和提高电子分布均匀性来提高LED的抗水解能力，而且改善LED芯片的发光效率，且不会增加LED芯片的生产成本。