一种场效应晶体管的阈值电压控制系统及控制设备

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一种场效应晶体管的阈值电压控制系统及控制设备
申请号:CN202510733633
申请日期:2025-06-04
公开号:CN120255629B
公开日期:2025-09-09
类型:发明专利
摘要
本发明涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种场效应晶体管的阈值电压控制系统及控制设备。包括主反馈环路用于获取场效应晶体管的阈值电压的实际值,并将阈值电压的实际值与设定值比较以获取偏差信号,并将偏差信号发送至控制模块;副反馈环路用于采集场效应晶体管的电流变化率,并将电流变化率发送至控制模块;控制模块用于根据偏差信号和电流变化率生成控制信号,并根据控制信号调节场效应晶体管的栅极电压,以控制场效应晶体管的阈值电压。本发明通过主反馈环路与副反馈环路协同采集场效应晶体管的电压的偏差信号和电流变化率,以动态调节场效应晶体管的栅极电压,从而提升了控制精度。
技术关键词
场效应晶体管 控制模块 温度补偿模块 信号处理单元 控制系统 抗混叠滤波器 偏差 生成控制信号 控制设备 PID控制器 应力 深度学习算法 电路 栅极 霍尔电流传感器 霍尔元件 温度补偿系数 电流值
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