一种基于非铅钙钛矿的全彩Micro-LED芯片及其制备方法

本发明提供一种基于非铅钙钛矿的全彩Micro‑LED芯片及其制备方法，芯片自下而上包括TFT基板、紫外LED芯片、玻璃衬底、非铅基钙钛矿色转换层、封装膜，非铅基钙钛矿色转换层自左向右包括红光钙钛矿色转换层、绿光钙钛矿色转换层、蓝光钙钛矿色转换层，红光钙钛矿色转换层和绿光钙钛矿色转换层之间、绿光钙钛矿色转换层和蓝光钙钛矿色转换层之间分别设置纳米阻隔层。本发明采用非铅钙钛矿量子点作为色转换层，可通过常温溶液法制备，制备成本选低于传统量子点材料，具有较高的热稳定性，可以提高发光效率和色纯度。非铅钙钛矿材料避免了传统Micro‑LED中铅基钙钛矿材料的污染性。本发明采用主动式发光的紫外LED作为激发源，激发钙钛矿色转换层，有利于提高发光效率。