具有集成电容的半导体芯片及其制备方法

本公开提供了一种具有集成电容的半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片包括：芯片主体和电容部；所述电容部位于所述芯片主体的外边缘处；所述电容部包括第一电容极板、第二电容极板、第一电极和第二电极，所述第一电容极板和所述第二电容极板均位于所述芯片主体的介质层内，且相对间隔布置，所述第一电极和所述第二电极均位于所述介质层外，且相对间隔布置，所述第一电极分别与所述第一电容极板和所述芯片主体的源极电性连接，所述第二电极分别与所述第二电容极板和所述芯片主体的栅极电性连接。本公开可以降低制备难度，并有利于小型化设计。