半导体结构的制造方法

本公开实施例提供了一种半导体结构的制造方法，方法包括：提供第一衬底，并在第一衬底上形成预解键合结构；在第一衬底上形成多个第一芯片以及第一互连结构，第一芯片之间包括切割道区域，第一互连结构位于切割道区域内；其中，预解键合结构的正投影位于切割道区域的正投影范围内，第一互连结构的正投影位于预解键合结构的正投影范围内；在切割道区域内形成凹槽，凹槽在第一互连结构的周围沿切割道区域的延伸方向延伸，且底部至少暴露部分预解键合结构；去除预解键合结构，以剥离第一互连结构，形成空隙。