一种基于SOI CMOS工艺的三维集成芯片的制备方法及结构

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种基于SOI CMOS工艺的三维集成芯片的制备方法及结构。本发明使用SOI CMOS工艺制备多个不同功能的晶圆，然后通过临时键合、衬底去除、晶圆对准、永久键合、解临时键合、金属互连等工艺将多个晶圆逐层堆叠形成三维集成芯片。本发明制造方法具有与硅基工艺兼容，降低工艺开发难度；可在不影响器件性能的前提下降衬底完全去除，缩短芯片间互连距离；采用临时键合的方式，通过可见光即可实现高精度对准；采用芯片正面向上逐层堆叠的方式，电路设计无需镜像、翻转等操作，极大地降低了电路设计难点；可将不同制程的芯片分开制造，大幅降低芯片制备成本等优点。