一种发光二极管及其制造方法及发光器件

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推荐专利
一种发光二极管及其制造方法及发光器件
申请号:CN202510751858
申请日期:2025-06-06
公开号:CN120857730A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种发光二极管及其制造方法及发光器件,发光二极管包括衬底及形成在衬底上方的半导体叠层,发光二极管还包括第一绝缘层,该第一绝缘层覆盖上述绝缘反射层的表面及侧壁并延伸至覆盖外围区域的衬底的表面。该第一绝缘层为原子层沉积方法得到的绝缘层,例如氧化铝层。其覆盖了发光二极管几乎所有的裸露表面及侧壁,提高了对芯片膜层包覆性,能够有效防止水汽的进入。另外,因此,原子层沉积获得的膜层具有良好的致密性及粘附性,防止出现膜层开裂的风险。其次,绝缘反射层的侧壁相对衬底表面具有一大于60°的夹角,该夹角尽可能减少暴露的绝缘反射层的侧壁面积,有利于减少可能导致水汽进入的通道。
技术关键词
发光二极管 原子层沉积方法 衬底 叠层 半导体层 DBR结构 绝缘 发光器件 台面 电极结构 发光单元 蚀刻 发光台 氧化铝 基板 线路 芯片
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