集成电容与PMIC芯片的垂直供电系统封装结构及封装方法

本发明公开了一种集成电容与PMIC芯片的垂直供电系统封装结构及封装方法，该封装结构将PMIC芯片内埋于第一塑封层内顶部制作重布线层，重布线层上焊接微电容器件和第一锡球并通过第二塑封层包覆，PMIC芯片的四周分布有高铜柱，构成塑封通孔中介层，以便实现后续封装的垂直互联，塑封通孔中介层的封装结构中PMIC芯片与微电容垂直连接形成供电模组，供电模组的顶部载有芯片模组，第一锡球与芯片模组垂直连接，塑封通孔中介层底部通过金属凸点与底部基板连接。该封装方法通过电容器件与PMIC芯片垂直供电的塑封通孔中介层垂直互联芯片模组和底部基板，实现了电流垂直走向，缩短了电流路径，满足高性能芯片的高功率供电需求。