封装结构及其制造方法

本发明提供一种封装结构及制造方法，封装结构包括：芯片区，包括多个功能芯片，功能芯片正面设置有第一导电凸块及第二导电凸块；中间连接区，沿第一方向设置在芯片区上，中间连接区包括中介层，中介层包括芯片互连中介结构，芯片互连中介结构具有非硅基底，非硅基底的热膨胀系数大于硅的热膨胀系数；对外连接区，沿第一方向设置在中间连接区上，并与中间连接区电连接；功能芯片的第一导电凸块通过中间连接区与对外连接区电连接，至少两个功能芯片的第二导电凸块通过中间连接区互连。非硅基底热膨胀系数与封装结构的其他材料的热膨胀系数更适配，能够避免或者降低封装翘曲和热应力的产生，提高产品的良率，提高产品的可靠性以及降低成本。