一种电光调制器件及其制备方法

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电光调制器件及其制备方法，制备方法包括：在第一包层背向第一衬底一侧的部分表面分别形成波导芯及多个电极，波导芯分为内部波导芯和外部波导芯；至少部分电极还深入部分厚度的第一包层；在第一包层表面形成包覆电极和波导芯的第二包层；在第二包层表面形成多个金属互连线，每个金属互连线还贯穿第二包层与一个电极连接；形成深入第二包层部分厚度的键合凹槽；在键合凹槽中形成包括等厚区域和厚度渐变区域的电光薄膜层；等厚区域的投影完全覆盖内部波导芯，厚度渐变区域的投影至少覆盖部分外部波导芯。本发明可以提高器件的CMOS工艺兼容性，降低器件的插入损耗，并提高光芯片的集成度和空间利用率。