冷阴极平板X射线源和控制方法

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冷阴极平板X射线源和控制方法
申请号:CN202510770444
申请日期:2025-06-10
公开号:CN120878523A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本申请提供的冷阴极平板X射线源和控制方法,涉及X射线技术领域。在本申请中,冷阴极平板X射线源包括:阳极基板和阴极基板;设置于阳极基板上的阳极靶材;设置于阴极基板上的阴极组件,其中,阴极组件包括多个呈阵列分布的阴极区块,每一个阴极区块包括多个呈阵列分布的纳米线冷阴极,在进行X射线输出的过程中,针对每一个阴极区块,若该阴极区块中当前用于发射电子的至少一行纳米线冷阴极存在异常,则在该阴极区块中确定出不存在异常的至少一行纳米线冷阴极,并控制该纳米线冷阴极向阳极靶材发射电子,以产生X射线。基于上述内容,可以改善现有技术中存在的冷阴极平板X射线源的利用率不高的问题。
技术关键词
平板X射线源 纳米线 阳极靶材 栅极电极 阴极基板 阴极电极 阴极组件 控制芯片 阳极基板 电子 终端设备 金属复合薄膜 X射线技术 阵列 通知
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