一种扇出封装结构及其制备方法

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一种扇出封装结构及其制备方法
申请号:CN202510774477
申请日期:2025-06-11
公开号:CN120637348A
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种扇出封装结构及其制备方法,扇出封装结构包括:供电基板;转接板,位于供电基板的一侧,并与供电基板电连接;重分布层,位于转接板远离供电基板的一侧,并与转接板电连接;功能芯片层,位于重分布层远离供电基板的一侧,并与重分布层电连接;其中,转接板包括有机塑封层和包覆在机塑封层中的多个导电电容芯片;导电电容芯片中设置有硅通孔,导电电容芯片中的硅通孔用于将供电基板的电源信号通过重分布层提供给功能芯片层中的功能芯片。本发明提供的技术方案,满足了大尺寸芯片扇出的同时,提高了产品良率和有效的DTC密度,并改善了封装翘曲以及内部应力集中的问题。
技术关键词
扇出封装结构 转接板 基板 导电柱 通孔 ASIC芯片 环氧塑封料 载板 沟槽电容 导电凸块 电源 信号 电压 硅片 应力 密度
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