摘要
本发明公开了一种玻璃钝化保护的TVS器件及其制备方法,涉及半导体器件制造技术领域,器件采用衬底层与两侧导电层构成的三明治结构,在导电类型相反一侧边缘设特殊沟槽,并构建氧化层、多层复合钝化层(SIPOS层、MTO层)、LTO层及玻璃层的防护体系。制备方法包含设置导电层、氧化、刻蚀沟槽、沉积钝化层、电泳沉积玻璃层、低温氧化形成LTO层等步骤。本发明提供P型双向对称、N型双相对称、P型单向非对称和N型单向非对称四种结构方案,通过电泳沉积工艺优化与多层复合保护层改进,有效提升TVS芯片可靠性与电性能,实现玻璃层均匀致密无气泡,漏电控制在0.1μA以下,击穿电压分别达20V以上(P型衬底)和36V以上(N型衬底),同时降低生产成本、提高生产效率。
技术关键词
导电层
三明治结构
TVS器件
氧化层
掺杂区
刻蚀沟槽
电泳沉积工艺
衬底层
芯片
复合钝化层
表面光刻胶
拐角
电泳方法
N型衬底
覆盖玻璃
P型衬底