一种TVS低压芯片及其制备方法

本发明公开了一种TVS低压芯片及其制备方法，涉及半导体器件制造技术领域，通过优化工艺各环节尤其是界面结构，同时采用干氧氧化层与盐酸混合液高温处理生成氧化层的制备方法，且构建由致密氧化层、玻璃层、LTO层、镍层、金层组成的多层保护结构，有效降低了低电压工作时的漏电流，大幅提高击穿电压，增强器件稳定性与可靠性。所制备的TVS芯片不仅能在瞬态过电压时迅速响应并钳制电压至安全水平，为低电压电路提供可靠保护，还凭借玻璃层热导率实现高效散热，满足车规级电路保护需求，拓展了产品应用范围，具有显著的实用价值。