降低键合白边宽度的方法

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降低键合白边宽度的方法
申请号:CN202510779411
申请日期:2025-06-11
公开号:CN120813075A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种降低键合白边宽度的方法,对第一晶圆和/或第二晶圆执行晶圆修边处理的步骤;在进行晶圆键合之前,对待键合的第一晶圆和/或第二晶圆的边缘执行围边沉积处理,以优化第一晶圆和/或第二晶圆的边缘轮廓;将经过围边沉积处理的第一晶圆和第二晶圆进行键合。本发明键合后形成的白边宽度可以降低。白边宽度的有效降低(例如从2.8毫米降低到2.1毫米)意味着晶圆边缘的未有效键合区域大幅缩减。这带来了多方面的有益效果:首增加了晶圆边缘区域可用的有效芯片数量;减少了因边缘缺陷导致的潜在可靠性问题,提升了最终产品的性能稳定性和使用寿命;降低了后续工艺中因边缘问题导致的晶圆破损报废风险,节约了制造成本。
技术关键词
晶圆 背照式图像传感器 边缘轮廓 后续工艺 机械抛光 沉积腔 硅酸乙酯 介质 基底 载体 芯片 风险
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