一种纳米螺旋流道及其制备方法和应用

本发明涉及纳米制造技术领域，公开了一种纳米螺旋流道及其制备方法和应用，包括氮化硅层和石墨烯层，所述纳米螺旋流道为开设于氮化硅层上的螺旋结构流道，在所述氮化硅层上对应纳米螺旋流道的一端开设有氮化硅纳米孔，在所述石墨烯层上对应纳米螺旋流道的另一端处开设有石墨烯纳米孔，所述氮化硅纳米孔和石墨烯纳米孔皆为通孔。本发明能够制备出纳米级的螺旋流道，无需预先设计和制备光刻掩膜，显著缩短制备周期。