硅基氮化镓GaN晶圆镭射开槽方法及装置

本申请涉及芯片加工技术领域，具体为硅基氮化镓GaN晶圆镭射开槽方法方法及装置，方法包括：对GaN晶圆进行清洁干燥并固定于加工平台；采集晶圆图像，利用机器学习模型识别局部缺陷与划片线，屏蔽缺陷后生成开槽路径图；采集镭射烧蚀数据，构建烧蚀深度模型，计算不同参数下的烧蚀深度；构建可调功率的单脉冲多次镭射烧蚀控制策略，沿开槽路径多次烧蚀实现精准开槽；检测开槽深度，对未达标区域重复烧蚀，对达标晶圆清洗残留物，最终完成高质量GaN晶圆开槽。本申请提供的方法实现了GaN晶圆镭射开槽工艺的智能化、精密化与高良率控制，有效提升了加工质量、自动化水平与生产效率。