一种LED芯片及其制备方法、发光设备

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法、发光设备，涉及半导体技术领域。透明导电层的第一区域具有多个凹槽，实现了对透明导电层的减薄，其透过率升高，由于凹槽的深度小于透明导电层的厚度，所以凹槽的底部是导电的，电流可以经过凹槽的底部到达下方的量子阱进行复合发光，以此提高LED芯片的发光效率。并且由于设置P电极的第二区域的电流密度较高，所以使第二区域与第一区域之间存在间隔区域，可以理解的是，透明导电层上靠近P电极的位置不设置凹槽，以降低对LED芯片电压的影响，进而提高LED芯片的光电性能。