存储晶圆结构以及三维集成装置的形成方法

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存储晶圆结构以及三维集成装置的形成方法
申请号:CN202510791344
申请日期:2025-06-13
公开号:CN120319294B
公开日期:2025-09-09
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种存储晶圆结构以及一种三维集成装置的形成方法。所述存储晶圆结构的切割区形成有测试芯片,测试芯片包括核心存储模块、输入输出模块、控制模块以及数据通道模块,利用测试芯片,能够在存储晶圆结构与逻辑电路晶圆键合之前间接检测芯片区的存储单元的性能和良率,便于筛选合格的存储晶圆结构与逻辑电路晶圆键合,有助于提高包括存储晶圆结构和逻辑电路晶圆的三维集成装置的良率,降低报废成本。所述三维集成装置的形成方法中,在将上述存储晶圆结构与逻辑电路晶圆键合之前,先利用所述测试芯片进行测试,有助于提高良率,降低报废成本。
技术关键词
晶圆结构 输入输出模块 存储器件 存储模块 电熔丝 存储单元 集成装置 逻辑电路 控制模块 焊垫 核心 双向数据传输通道 局部读出放大器 信号 低压差线性稳压器 阵列 存储芯片
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