摘要
本发明涉及半导体芯片封装的纳米烧结金属焊层技术领域,具体为一种基于分子动力学的纳米金属焊层烧结质量预测方法及系统,该方法包括以下步骤:S1,选取芯片、纳米金属焊层以及基板镀层的材料,建立符合封装应用场景的芯片‑焊层‑基板三明治模型;S2,根据所选材料确定三明治模型中各个原子之间的势函数;S3,输入分子建模软件以及分子动力学参数,获取烧结结果数据;S4,将烧结结果数据导出,并进行可视化处理,获取对应的可视化信息。本发明基于芯片封装的实际场景并应用分子动力学的方法,从原子/分子层面建立可视化模型,可以探究不同的工艺参数对纳米金属焊层烧结质量的影响,对于优化纳米金属烧结工艺参数从而得到更可靠的焊层具有重要意义。
技术关键词
纳米金属
分子
三明治
半导体芯片封装
烧结工艺参数
控制烧结温度
纳米铜颗粒
镀层
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