一种具有并联均流功能的SiC MOSFET有源栅极驱动方法

一种具有并联均流功能的SiC MOSFET有源栅极驱动方法，涉及电力电子技术领域。采用主‑辅双支路驱动结构，具有主支路单独使能以及主‑辅双支路同时使能两种基本驱动模式，通过器件开关过程中分配两种模式的使能时序实现对器件的动态调整，选定主器件和受控器件，获得器件电流信息采样时刻，计算主器件与受控器件间的开关延时和电流斜率偏差是否满足设定阈值，通过调节主‑辅双支路同时作用时间的方式调整驱动直至偏差稳定在设定阈值范围内，实现开关延时和电流斜率的同步。基于有源栅极驱动的方式有效调节并联SiC MOSFET之间的电流均衡效果，延长器件使用寿命，结构简单、适应性强。