摘要
本公开提供了一种光罩及对准方法,涉及半导体技术领域。所述光罩包括:N个子光罩,N个子光罩依次曝光后形成的曝光区域按预定方式相邻排布;其中,N个子光罩中两个子光罩分别为第一子光罩和第二子光罩,第一子光罩对应的曝光区域与第二子光罩对应的曝光区域相邻,第一子光罩上设置有M个第一掩模标识,第二子光罩上设置有M个第二掩模标识,M个第一掩模标识与M个第二掩模标识一一对应,且相对应的第一掩模标识和第二掩模标识共同组成完整的标识图案,标识图案位于光罩的芯片区。本公开可以通过第一子光罩上的第一掩模标识和第二子光罩上的第二掩模标识在曝光后形成的图案捕捉到两次曝光之间的对准偏差,从而提高对准精度。
技术关键词
光罩
掩模
标识
对准偏移量
图案
对准方法
芯片
光刻机
晶圆载台
对准偏差
机器学习模型
镜面
控制单元
光刻工艺
间距