一种基于多物理场仿真的芯片测试方法及装置

本发明涉及半导体的技术领域，提供了一种基于多物理场仿真的芯片测试方法及装置，包括采集芯片的多物理场响应数据后，进行特征拆分与归类处理，得到热响应特征向量、电磁响应特征矩阵以及应力分布序列后，生成热响应图谱，基于热响应图谱对电磁响应特征矩阵进行相关性计算，得到判别风险等级值与误差加权因子后，对应力分布序列进行风险趋势拟合分析，生成芯片性能稳定性评估指标与多物理场干扰下的测试适应性评分。通过利用采集的多物理场响应数据，生成芯片性能稳定性评估指标与多物理场干扰下的测试适应性评分，实现对芯片在多物理场作用下性能的全面评估，改善芯片处于多种物理场同时作用的复杂环境时，存在测试结果准确性不足的问题。